蒸發材料

電子束蒸發法是真空蒸發鍍膜的一種,是在真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發材料,使蒸發材料氣化並向基板輸運,在基底上凝結形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中,被加熱的物質放置于水冷的坩埚中,可避免蒸發材料與坩埚壁發生反應影響薄膜的質量,因此,電子束蒸發沉積法可以制備高純薄膜,同時在同一蒸發沉積裝置中可以安置多個坩埚,實現同時或分別蒸發,沉積多種不同的物質。通過電子束蒸發,任何材料都可以被蒸發,不同材料需要采用不同類型的坩埚以獲得所要達到的蒸發率。

Goodwill可以提供1~3mm,3~6mm等不同尺寸的蒸發材料。

單質蒸發材料

高純金屬蒸發材料
名稱
分子式
純度
名稱
分子式
純度
高純銀
Ag
3N~5N
高純鎳
Ni
3N~5N
高純鋁
Al
3N~5N
高純鉛
Pb
3N~5N
高純金
Au
3N~5N
高純钯
Pd
3N~5N
高純铋
Bi
3N~5N
高純鉑
Pt
3N~5N
高純镉
Cd
3N~5N
高純銻
Sb
3N~5N
高純钴
Co
3N~5N
高純硒
Se
3N~5N
高純鉻
Cr
3N~5N
高純硅
Si
3N~5N
高純銅
Cu
3N~5N
高純錫
Sn
3N~5N
高純鐵
Fe
3N~5N
高純钽
Ta
3N~5N
高純鍺
Ge
3N~5N
高純碲
Te
3N~5N
高純铟
In
3N~5N
高純钛
Ti
3N~5N
高純鎂
Mg
3N~5N
高純鎢
W
3N~5N
高純錳
Mn
3N~5N
高純鋅
Zn
3N~5N
高純钼
Mo
3N~5N
高純锆
Zr
3N~5N
高純铌
Nb
3N~5N


3N~5N

化合物蒸發材料

氧化物蒸發材料
名稱 分子式 純度 名稱 分子式 純度
氧化鋁 AL2O3
3N~5N
氧化钪 Sc2O3 3N~5N
氧化铋
Bi2O3
3N~5N
氧化钐 Sm2O3 3N~5N
氧化鉻
Cr2O3
3N~5N
一氧化钛 TiO 3N~5N
氧化铈
CeO2
3N~5N
二氧化钛 TiO2 3N~5N
氧化铒
Er2O3
3N~5N
三氧化二钛 Ti2O3 3N~5N
二氧化铪
HfO2
3N~5N
氧化釩 V2O5 3N~5N
氧化铟錫
ITO
3N~5N
三氧化鎢 WO3 3N~5N
氧化鎂
MgO
3N~5N
氧化钇 Y2O3 3N~5N
氧化铌
Nb2O5
3N~5N
氧化锆
ZrO2 3N~5N
氧化钕
Nd2O3
3N~5N
氧化鋅
ZnO 3N~5N
一氧化硅
SiO
3N~5N
氧化鎳
NiO 3N~5N
二氧化硅
SiO2
3N~5N



氟化物蒸發材料
名稱 分子式 純度 名稱 分子式 純度
氟化鋇 BaF2
3N~5N
氟化镧 LaF3 3N~5N
氟化鈣
CaF2
3N~5N
氟化鎂 MgF2 3N~5N
氟化铈
CeF3
3N~5N
氟化鈉 NaF 3N~5N
氟化镝
DyF3
3N~5N
氟化钕 NdF3 3N~5N
氟化餌
ErF3
3N~5N
氟化锶 SrF3 3N~5N
氟化鉀
KF
3N~5N
氟化钐 SmF3 3N~5N
氟化镱
YbF3
3N~5N
氟化钇 YF3 3N~5N
其他化合物蒸發材料
名稱 分子式 純度 名稱 分子式 純度
氮化鋁 AlN
3N~5N
钛酸镨 PrTiO3 3N~5N
氮化硼
BN
3N~5N
碳化硅 SiC 3N~5N
钛酸鋇
BaTiO3
3N~5N
钛酸锶 SrTiO3 3N~5N
硫化銅
CuS
3N~5N
氮化硅 Si3N4 3N~5N
碳化铪
HfC2
3N~5N
氮化钛 TiN 3N~5N
钛酸镧
LaTiO3
3N~5N
硒化鋅 ZnSe 3N~5N
冰晶石
Na3AiF6
3N~5N
硫化鋅 ZnS 3N~5N
摻雜化合物蒸發材料
名稱 分子式 純度 名稱 分子式 純度
氧化鋁+氧化钛 Al2O3+TiO2
3N~5N
氧化钛+氧化钽 TiO2+Ta2O5 3N~5N
氧化鋁+氧化鋅
Al2O3+ZnO
3N~5N
氧化钛+氧化铌 TiO2+Nb2O 3N~5N
氧化鋁+氧化鎂
Al2O3+MgO
3N~5N
氧化锆+氧化钽 ZrO2+Ta2O5 3N~5N
氟化铈+氟化鈣
CeF3+CaF2
3N~5N
氧化锆+氧化钇 ZrO2+Y2O3 3N~5N
氧化铟+氧化錫
In2O3+SnO2
3N~5N
氧化锆+氧化鋁 ZrO2+Al2O3 3N~5N
氧化錫功能膜料
SnO2+Pt/Pd
3N~5N
氧化锆氧化钛 ZrO2+Ti3O5 3N~5N